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三星宣布3纳米制造技术或明年上市

发布时间: 2022-07-07 02:41:23 来源:海德体育官方网站 作者:海德体育iso版下载
  

  10月7日消息,当地时间周三,三星电子宣布公司新一代3纳米芯片制造技术将推迟到2022年上市,同时称更先进的2纳米芯片制造技术将在2025年问世。

  三星曾计划于今年开始用3纳米制程工艺生产处理速度更快、能效更高的芯片产品。周三公司在“三星代工论坛”(Samsung Foundry Forum)上表示,转向全新制造技术的难度很大,3纳米制程芯片将在2022年上半年上市。这意味着三星客户将要到明年才能用上这一前沿技术。

  三星芯片代工的客户包括手机芯片设计公司高通、服务器制造商IBM和三星自家产品。

  不过好消息是,三星宣布将在2025年下半年实现2纳米芯片制造技术。三星表示,这将使芯片在性能、能效以及电子产品小型化向前继续迈进。

  台积电今年8月份也宣布推迟上线纳米芯片制造技术,这一计划的延迟使得英特尔压力有所缓解。目前英特尔正在推出自家代工业务,旨在夺回被台积电和三星拿走的市场份额。

  随着个人电脑销量的不断增长、智能手机的普及以及数据中心的在线服务量不断上升,市场对芯片的需求已经超过产能。全球范围内的芯片短缺影响到依赖电子产品供应链的个人电脑、游戏机、汽车等产品销售。

  三星代工事业部高级副总裁ShawnHan说,芯片短缺问题要到2022年才会缓解。他表示,“尽管我们正在投资,其他代工厂商也在增加产能,但在我们看来,这一状况会再持续六到九个月。”

  转向新一代芯片制造技术的过程非常复杂。单个芯片由数十亿个比尘埃还要小的晶体管组成。芯片制造工厂需要在硅片上蚀刻电路图案,这一过程需要数十个步骤,耗时数月时间。芯片制造技术的进步源自晶体管不断小型化,这样就可以把更多晶体管压缩在芯片上,从而提高处理速度并降低功耗。三星新一代芯片制造技术3GAE采用的是一种名为“全环绕栅极晶体管”(GAA)的技术。

  三星预计到2023年推出更成熟的3GAP芯片产品,同时达到高产量。到2025年,三星计划转向更先进的2纳米芯片制造技术2GAP。

  随着芯片变得越来越复杂,通常也会越来越贵,这就是为什么许多客户坚持使用格芯等公司更老更便宜制造工艺生产的芯片。但三星认为,其可以降低全新制造技术的成本。三星电子代工战略团队负责人MoonsooKang表示:“虽然GAA是一项困难的技术,但我们仍将努力降低单个晶体管的成本。”“这一趋势将继续下去。”

  韩联社报道称,三星电子或于本周晚些时候发布 2 季度财报。尽管消费电子产品的销量有所下滑,但分析师还是预计其营业利润将比去年同期增长 15.6% 。外界预测:2022 年 4-6 月间,该公司智能手机出货量较上一季度减少了 16%(至 6100 万部),营业利润也较去年同期减少 6000 亿韩元(至 2.6 万亿韩元 / 20 亿美元)。三星电子 2022Q1 数据其次,三星显示面板的也无需求也出现了疲软,预计营业利润为 1 万亿韩元(7.6 亿美元),低于一年前的 1.3 万亿韩元。家电部门的降幅更是夸张,营业利润直接砍半至 5000 亿韩元。好消息是,芯片业务帮助三星弥补了消费产品的需求下滑。分析师预计其营业利润增长 42(至

  2季度手机出货量下滑16% 但芯片业务利润增长 /

  Business Korea 报道称:三星电子于 6 月中旬规划组建了一个由 DS 事业部 CEO(Kyung Kye-hyun)直管的半导体封装事业部(TF),旨在加强和封装领域的大型代工客户的合作。据悉,TF 团队由 DS 部门的测试与系统封装(TSP)工程师、半导体研发中心成员、以及内存和代工部门的人员组成。Kyung Kye-hyun 的最新决策,表明了三星希望 TF 团队能够提出先进的封装解决方案,以加强与广大代工客户合作的决心。所谓封装,特指在晶圆完工后,将之切割并进行布线 —— 业内将之称作“后端流程”。随着前端工艺的电路小型化工作已达到极限,各大芯片制造商势必在各种先进封装工艺上展开更激烈的竞争。目前包括 Intel

  韩国半导体产业界迎来“逆袭”全球半导体代工冠军——台积电的重要契机。据韩国《每日经济》7月2日的报道,随着6月30日三星电子全球首次开始量产3纳米全环绕栅极(GAA)制程工艺节点芯片,外界开始预测三星电子与台积电的未来竞争格局。韩国业内评估认为,三星电子抢先引入最新工艺技术为赶超台积电打下基础,台积电与三星电子现有的技术差距“无法轻易弥补”。市场研究机构集邦咨询最新的数据显示,今年第一季度台积电在全球半导体代工销售中的份额为53.6%,约为三星(16.3%)的三倍。但随着首次开始量产3纳米芯片,三星电子加快追赶步伐。凭借新技术,三星将通过争取苹果、英特尔和 AMD等潜在客户来缩小与台积电的差距。韩国《朝鲜日报》的报道称,相较于之前最

  据新浪科技消息,三星否认了有关延后3纳米芯片量产的报道。三星的一位发言人通过电话表示,目前仍按进度于第二季度开始量产3纳米芯片。此前有媒体报道称,由于良率远低于目标,三星3纳米芯片量产将再延后。媒体报道表示,三星为赶超台积电,加码押注 3nm GAA 技术,并计划在 2025 年量产以 GAA 工艺为基础的 2nm 芯片。消息称,三星在 6 月初将 3nm GAA 工艺的晶圆用于试生产,成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃,快速缩小与台积电的差距。3nm 工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%,同时与 5nm 工艺相比,芯片面积减少了 35%。

  据SamMobile报道,三星电子的显示器子公司刚刚取得了重大胜利。韩国最高法院宣布三星显示(SamsungDisplay)从其当地竞争对手LGDisplay窃取OLED技术的指控无罪。两家韩国公司之间的这场官司已经持续了七年。LGDisplay的立场是,其被盗的OLED技术最终落入了SamsungDisplay手中。不过,现在最高法院维持了二审“无罪”的判决。这些指控是针对LGDisplay一家供应商首席执行官和四名SamsungDisplay员工提出的。来自LGDisplay供应商的员工涉嫌通过向SamsungDisplay员工泄露LGDisplay的OLEDFaceSeal技术。据称该罪行在2010年发生了三到四次

  据BusinessKorea报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司——台积电。据悉,GAA是下一代工艺技术,改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触到晶体管的所有四面,而不是目前FinFET工艺的三面,GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。根据TrendForce的数据,在2021年第四季度,台积电占全球代工市场的52.1%,远远超过三星电子的18.3%。三星电子正押注于将GAA技术应用于3纳米工艺,以追赶台积电。据报道,这家韩国半导体巨头在6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试生产,成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的

  计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片 /

  Bluetooth培训

  共推32、28纳米SOC

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